Сергеев Владимир Сергеевич - директор НИИ точной технологии Министерства электронной промышленности СССР, город Зеленоград.

Родился 25 июля 1911 года в Москве в семье рабочего. Русский. Окончил 10 классов.

Трудовую деятельность начал на Московском заводе "Динамо" фрезеровщиком, мастером.

В 1938 году окончил факультет точного приборостроения МВТУ имени Н.Э.Баумана.

С 1938 года работал на военном заводе в Москве. После начала войны участвовал в эвакуации завода на Урал и «с колёс» организовывал там выпуск военной продукции. До 1946 года работал в должности начальника цеха, начальника ОТК, главного технолога.

С 1946 по 1954 года – главный технолог НИИ-10. С 1954 по 1963 годы — главный инженер производства КБ-1 «Алмаз». Разрабатывал радиолокаторы для Военно-Морского Флота и автопилоты для ракетной техники.

С 1963 по 1977 годы — первый директор НИИ Точной технологии в городе Зеленограде (ныне ОАО «Ангстрем»).

В короткие сроки В.С.Сергеевым был создан новый НИИ с опытным заводом «Ангстрем», ставший инновационным национальным центром в области гибридных и полупроводниковых МОП (металл-оксид-полупроводник) интегральных схем и устройств на их основе.

В 1964 году при отсутствии технических материалов, специальной литературы, имея в качестве образца лишь фотографию общего вида интегральной схемы фирмы IBM, коллектив под руководством В.С.Сергеева разработал и освоил в производстве первую в стране серию ИС «Тропа». ИС были выполнены по гибридной толстопленочной технологии с уровнем интеграции 20-50 элементов. ИС «Тропа» соответствовали современному мировому уровню. Первым серьёзным испытанием серии было создание на основе «Тропы» аппаратуры управления спутником, облетевшим вокруг Луны.

Впоследствии ИС «Тропа» широко применялась в многочисленных электронных устройствах и системах, в частности в управлении ряда космических аппаратов (спутник «Луна-16» и др.), совершивших экспедиции к планетам Солнечной системы.

Последовавшие за «Тропой» изделия серии ИС «Трапеция», «Терек», «Посол», «Тактика» и другие, разработанные институтом В.С.Сергеева без наличия зарубежных аналогов, также соответствовали мировому уровню. В 1964-65 годах в НИИТТ была разработана и отлажена на опытном заводе «Ангстрем» базовая технология изготовления толстопленочных ИС.

В последующем НИИТТ и завод «Ангстрем» создали немало базовых технологий промышленного производства гибридных и полупроводниковых ИС, а также корпусов для микросхем, внедренных на серийных заводах отрасли.

В 1965 году институтом В.С.Сергеева были разработаны основные технологические процессы, позволившие в 1966 году впервые в стране получить МОП-транзистор. Тогда же были начаты работы по созданию КМОП приборов, а в 1967 году была созданы первые в стране КМОП ИС.

Усилиями директора В.С.Сергеева и других руководителей создание научно-производственного комплекса «НИИТТ и завод „Ангстрем“» завершилось в 1968 году. К этому времени заводом было уже выпущено 600 тысяч интегральных схем, а технологии их производства переданы более, чем на 100 предприятий отрасли и дружественных стран Восточной Европы. В этот период институтом были выполнены основополагающие исследования в области плёночной технологии, материалов и технологических процессов, разработаны и освоены в производстве бескорпусные транзисторы, диодные матрицы, полупроводниковые интегральные схемы, расширены работы по созданию схем на МОП-структурах, разработана технология и освоен выпуск ИС с жесткими выводами, развивались работы по машинному проектированию.

Указом Президиума Верховного Совета СССР от 26 апреля 1971 года Сергееву Владимиру Сергеевичу присвоено звание Героя Социалистического Труда с вручением ордена Ленина и золотой медали «Серп и Молот».

В 1972 году под руководством В.С.Сергеева было освоено новое направление – многослойные ИС «Талисман». Технология создания этих схем не имела мировых аналогов. Она обеспечивала резкое уменьшение габаритов и повышение быстродействия схем. Позже эта технология получила развития при изготовлении многослойных керамических плат для устройств специальной техники.

К концу 1973 года на предприятии уже было выполнено 290 научно-исследовательских работ, создано и освоено в производстве более 200 типов ИС. За высокие трудовые показатели В.С.Сергееву была присуждена Государственная премия СССР.

В 1973 году на предприятии В.С.Сергеева были разработаны и внедрены в производство базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых ИС и БИС, в результате НИИТТ и завод «Ангстрем» осуществили плавный переход от гибридных ИС к полупроводниковым. Одним из главных направлений деятельности стало создание ИС памяти. Этапными событиями в этом направлении было создание в 1975 году впервые в стране БИС ДОЗУ 4К бит и 64К бит. На их основе были разработаны первые в стране блоки полупроводниковой электронной памяти «ОЗУ-64К» и «ОЗУ-256К» для ЭВМ, положившие конец ферритовой памяти.

Создание и освоение КМОП технологии позволило решить две уникальные для того времени задачи: в 1973 году были разработаны и освоены в массовом производстве 5 специализированных БИС и первый в стране микрокалькулятор "Электроника Б3-04" на их основе; в 1974 –75 годах была проведена конструктивно-технологическая разработка первого в стране микропроцессорного комплекта БИС (серия 587), который обеспечивал возможность построения самых разнообразных устройств обработки данных: простейших микроконтроллеров, микро-ЭВМ, мини-ЭВМ, многопроцессорных и многомашинных систем и многого другого. Он оказался настолько удачным, что до сих пор (более 30 лет) востребован потребителями.

В 1977 году В.С.Сергеев вышел на пенсию, продолжал работать консультантом в НИИТТ и ОАО «Ангстрем». Жил в Зеленоградском административном округе Москвы. Умер 21 декабря 1999 года. Похоронен на Зеленоградском кладбище. 

Кандидат технических наук, автор ряда научных трудов.

Лауреат Государственной премии СССР (1973). Награждён орденом Ленина, 3 орденами Трудового Красного Знамени, многими медалями.

Биографию подготовил: Валерий Воробьев (1964-2013)